【優惠促銷】ONSEMI 安森美IGBT AFGHL40T65SPD

產品概述 

ONSEMI （安森美半導體） 的IGBT AFGHL40T65SPD採用創新的第三代場截止溝槽型IGBT技術，在多種應用中提供最佳性能；AFGHL40T65SPD具有低導通損失和低開關損失，不僅可實現高效運行，更提供比標準型號高50V的阻塞電壓和高電流開關可靠性。

此外，此料件在並聯操作中也展現出卓越的性能。

V_CES: 650 V

E_on: 1.16 mJ

V_CE(Sat): 1.85 V

Package: TO−247−3L

產品特色 Features

• AEC−Q101 Qualified

• Low Saturation Voltage: V_CE(Sat) = 1.85 V (Typ.) @ I_C = 40 A

• 100% Of The Part Are Dynamically Tested (Note 1)

• Short Circuit Ruggedness > 5 S @ 25°C

• Maximum Junction Temperature: T_J = 175°C

• Fast Switching

• Tight Parameter Distribution

• Positive Temperature Co−efficient for Easy Parallel Operating

• Co−Packed With Soft And Fast Recovery Diode

應用範例 Typical Applications

• On−board Charger

• Air Conditioner Compressor

• PTC Heater

• Motor Drivers

• Other Automotive Power−Train Applications

規格書：點我下載安森美(Onsemi)IGBT AFGHL40T65SPD Datasheet

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